本項目所開發的小體積、低成本、高性能MEMS Pirani傳感器芯片采用單晶硅絲作為加熱以及溫敏結構，具有良好的環境適應性；采用晶圓級封裝技術實現一種獨特環繞熱沉結構，有效的拓展了芯片的高真空段探測能力；使用全橋差分輸出形式，有效的抑制器件的溫漂特性與噪聲；利用雙敏感單元融合方法，進一步的拓展了器件的線性響應區間。器件采用一套CMOS兼容的8英寸工藝，每片晶圓可產出2.7萬顆芯片，具有良好的成本優勢。該真空規可廣泛運用于各類真空系統中對腔內低、中真空度的檢測，覆蓋諸多行業，具有廣闊的市場前景。產品的進一步產業化可有效的實現國產傳感器的替代，依靠更合理的售價大幅度拓展智能真空傳感器的使用領域與市場。預計在此產品產業化后的3年內預計可實現產值超過1億元。
大力推動“2+6+N”產業高質量跨越式發展
聚焦產業轉型升級、企業自主創新、園區創新發展
打造發展主引擎、增加發展新優勢
